每组电池数量 12 1I10 8I10 18 ● 耐过充电能力 蓄电池用0.3I10电流连续充电160h后，其外观应无明显变形及渗液。蓄电池过充电寿命不应低于210天。 ● 封口剂性能 蓄电池在－30C～65C温度范围内，封口剂不应有裂纹与溢流，密封性应符合2.2.4的规定。 ●内阻值 制造厂提供的蓄电池内阻值应与实际测试的蓄电池内阻值一致，允许偏差范围为10％。 ●浮充蓄电池组运行电压偏差值 蓄电池组在正常浮充状态下运行3～6个月，蓄电池端电压与平均值的偏差应不大于0.05V。 ●自放电率 蓄电池自放电率每月不大于4％。 ●从横向纵向拓展性和发展潜力来看，总的来说嵌入式比单片机更具潜力，单片机比嵌入式容易入行。ARM芯片这么个标题我想说什么呢？意思是单片机跟嵌入式是有区别的。这篇文章就是来分析要如何选择，是学嵌入式还是单片机呢？我们朱老师物联网大讲堂推出的课程就有单片机跟嵌入式两个系列课程，有同学会觉得说单片机就是嵌入式，老师为什么要推出两个呢？这两个课程的内容是不一样的。单片机课程主要是讲51单片机跟STM32，51单片机主要是裸机，没有操作系统，有同学说51单片机也可以上操作系统，话虽如此，但一般不需要这样用。
电池应带电解液并充好电出厂，在现场安装好后，只需进行补充充电后即可浮充运行。 ●密封反应效率 蓄电池密封反应效率应不低于95％。 ●防爆性能 蓄电池在充电过程中，蓄电池外部遇明火时，不应内部。 ●蓄电池组事故冲击放电能力 蓄电池组(220V系统)以预放电1h后，叠加冲击电流放电1次，冲击电流应符合表1规定。冲击放电时蓄电池组端电压不低于202V。 表1 预放电流、冲击电流 标准电压 V 预放电流 冲击电流
BODUN舶顿蓄电池 BOLETAK博力特蓄电池 BPS蓄电池 BRAND布兰德蓄电池 BSB佰特瑞蓄电池 BSOL蓄电池 CATK蓄电池 CGB长光蓄电池 CH.GREAT格瑞 特蓄电池 CHAMPION冠 军蓄电池 CNW储霸蓄电池 CONSENT光盛蓄电池 Contest康迪斯蓄电池 COSLIGHT光宇蓄电池 CRB蓄电池 crownbatt科耐特蓄电池 CSB蓄电池 CSSB蓄电池 CSTK蓄电池 CTD西替帝蓄电池 CTM蓄电池 CTP蓄电池 DAFER德富力蓄电池 DAHUA大华蓄电池 DAYTON PIRATE代顿派瑞蓄电池 DDNC大德诺成蓄电池 DEKA德克蓄电池 DELTA蓄电池